(l)尽可能地让CVD设备的真空系统处于真空状态。CVD设备按淀积工艺要求，所用的工艺气体及反应生成副产物，一般都具有强烈的腐蚀性。如果
Si3N4薄膜淀积完毕后不及时将反应残余气体抽尽，则很可能腐蚀气路接口、波纹管、真空计、真空泵等。所以，在Si3N4薄膜淀积完毕后，尽量延长真空泵的抽气时间，以便尽可能地抽除残余气体。遇到几天不用时，开启一次真空泵抽一次，以提高设备使用完好率。
(2)及时充装氮气。在作完工艺后，炉管内石英舟上装有淀积好的硅片，一定要将其保存在充满氮气的环境内，以防止氧化、腐蚀，这样可以更好的保存。
(3)定期更换真空泵油。虽然所使用的真空系统安装了真空泵油过滤器，能保持较长时间的泵油清洁。但对于象SiH2C12+NH3这样的反应体系，由于反应时在炉尾和炉口两端生成了副产物NH4CI白色粉末，NH4CI在反应管后部的波纹管、真空管壁上淀积是相当严重的，它和HCI等有害杂质随时有被抽至真空泵的危险。这些颗粒，不断少量地进人真空泵，使泵油变稠，堵塞泵油过滤系统，影响设备的正常运转。所以必须定期更换真空泵油。
(4)定期检修电磁阀。为了防止真空泵油返回真空管道内，在真空泵上安装了电磁阀，该电磁阀常见的故障是，电磁阀内由于有少量的NH4CI粉末存在，使电磁阀内的O型密封圈的密封性能降低，导致真空系统存在着慢泄漏，整个设备的真空系统在停机后不能保持真空状态，只有定期检修电磁阀，清洗后更换电磁阀内的O型密封圈，才能在薄膜淀积完毕后使CVD设备的真空系统处于真空状态。
(5)定期清洗石英管。在淀积过程中石英管和石英舟上都会淀积上一层薄膜，在每次工艺结束后，都应将石英舟在原位适当移动一下，以免石英舟和石英管沾附。随着工艺生产的增多，在石英管和石英舟上淀积的薄膜越来越厚。在达到一定程度后，石英管出现了硅裂的现象，也使得整个石英管的承重加大，超过了其最大负载，一根石英管出现一定程度的下沉(原来两根石英管处于同一水平面上)。从而导致石英舟上装的硅片也跟着一起下沉，偏离了炉管中心位置，造成淀积的薄膜不均匀。因此，进行定期清洗才能保证工艺的稳定性和可重复性，从而保证产品质量
